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天玖隆-CN3718众节镍氢电池充电打点集成电途

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  天玖隆-CN3718多节镍氢电池充电管理集成电路_经济/市场_经管营销_专业资料。CN3718 是PWM 降压模式多节(2-17 节)镍氢电池充电管理集成电路5A 多节镍氢电池充电管理集成电路

  5A 多节镍氢电池充电管理集成电路 CN3718 概述: CN3718 是 PWM 降压模式多节镍氢电池充 电管理集成电路,独立对多节镍氢电池充电 进行自动管理,具有封装外形小,外围元器 件少和使用简单等优点。 CN3718 具有涓流,恒流和维持充电模式, 非常适合多节镍氢电池的充电。对于深度放 电的电池,当电池电压低于所设置的最高充 电电压的 66.7%时,CN3718 用所设置的恒 流充电电流的 24%对电池进行涓流充电。在 恒流充电模式,充电电流通过一个外部电阻 设置。在维持充电模式,充电电流为恒流充 电电流的 24%,维持充电时间由外部电容设 置,当充电时间达到外部电容所设置的值 时,CN3718 进入充电结束状态。在充电结 束状态,如果电池电压下降到所设置的最高 充电电压的 88.6%时,自动开始新的充电周 期。当输入电源掉电或者输入电压低于电池 电压时,CN3718 自动进入低功耗的睡眠模 式。 其它功能包括输入低电压锁存,电池温度监 测,电池端过压保护和充电状态指示等。 CN3718 采用 16 管脚 TSSOP 封装。 特点: ? 宽输入电压范围:7.5V 到 28V ? 对多节镍氢电池进行完整的充电 管理 ? 最高充电电压由外部电阻设置 ? 维持充电时间由外部电容设置 ? 充电电流可达 5A ? PWM 开关频率:300KHz ? 恒流充电电流由外部电阻设置 ? 对深度放电的电池进行涓流充电 ? 电池温度监测功能 ? 自动再充电功能 ? 双状态指示 ? 软启动功能 ? 电池端过压保护 ? 工作环境温度:-40℃ 到 +85℃ ? 采用 16 管脚 TSSOP 封装 ? 产品无铅,无卤素元素,满足 RoHS 管脚排列: 应用: ? 多节镍氢电池充电 ? 备用电池应用 ? 便携式工业和医疗仪器 ? 电动工具 ? 对讲机 VG 1 PGND 2 GND 3 CHRG 4 DONE 5 TEMP 6 CT 7 COM1 8 CN3718 16 DRV 15 VCC 14 BAT 13 CSP 12 NC 11 COM3 10 FB 9 COM2 Rev 1.1 1 典型应用电路: 输入电源 C1 M1 D1 L1 RCS PMOS C5 D2 1 16 VG DRV 15 VCC R1 R5 CSP 13 BAT 14 D3 D4 绿 红 CN3718 NC 12 R7 4 CHRG FB 10 5 DONE COM2 9 6 TEMP COM1 8 120欧 姆 R4 R6 R2 7 CT GND COM3 11 C2 C3 C4 PGND CT 3 2 100nF 470pF 220nF C6 10uF 多节 镍氢 电池 C7 图 1 典型应用电路 订购信息: 型号 CN3718 工作温度 -40℃ 到 +85℃ 封装 TSSOP16 (编带,每盘 3000 片) Rev 1.1 2 管脚描述: 管脚序号 名称 1 VG 2 PGND 3 GND 4 CHRG 5 DONE 6 TEMP 7 CT 8 COM1 9 COM2 10 FB 11 COM3 12 NC 13 CSP 14 BAT 15 VCC 16 DRV 说明 内部电压调制器输出。为内部驱动电路提供电源。在 VG 管脚和 VCC 管脚之间接一个 100nF 的电容。 功率地 模拟地 漏极开路输出端。在涓流充电,恒流充电和过充电状态,内部晶 体管将此管脚拉到低电平;否则,此管脚为高阻状态。 漏极开路输出端。在浮充电状态,内部晶体管将此管脚拉到低电 平;否则,此管脚为高阻状态。 电池温度监测输入端。在此管脚到地之间连接一个负温度系数的 热敏电阻。 维持充电时间设置端。将此管脚通过一个电容接到地,用来设置 维持充电时间。维持充电时间=396.6×CT (秒),其中 CT 的单 位为微法。 回路补偿输入端 1。在此管脚到地之间接一个 470pF 的电容。 回路补偿输入端 2。在此管脚到地之间串联连接一个 120? 的电 阻和一个 220nF 的电容。 电池电压反馈端。外接电阻分压网络以设置电池最高充电电压。 回路补偿输入端 3。在此管脚到地之间接一个 100nF 的电容。 没有连接 充电电流检测正输入端。此管脚和BAT管脚测量充电电流检测电 阻RCS两端的电压,并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。 充电电流检测负输入端。此管脚和CSP管脚测量充电电流检测电 阻RCS两端的电压,并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。 外部电源输入端。VCC 也是内部电路的电源。此管脚到地之间 需要接一个滤波电容。 驱动片外 P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极。 极限参数 VCC,VG,DRV,CHRG,DONE 到 GND 的电压…….…-0.3V to 30V CSP,BAT 到 GND 的电压………………………………..…-0.3V to 28V COM3 到 GND 的电压…………………………………...…….6.5V 其它管脚到 GND 的电压………………………..........………-0.3V to VCOM3+0.3V 存储温度……………………………………………...……..…-65℃---150℃ 工作环境温度………………………….…………………….…-40℃---85℃ 焊接温度(10 秒)…………………………………………..……300℃ 超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏。以上给出的仅仅是极限范围,在这样的极限条件下 工作,器件的技术指标将得不到保证,长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。 Rev 1.1 3 电气特性: (VCC=15V,TA=-40℃ 到 85℃,除非另有注明) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 输入电压范围 VCC 7.5 28 V 低电压锁存阈值 UVLO 4.2 6 7.3 V 芯片工作电流 FB 管脚反馈电压 FB 管脚偏置电流 电流检测电压 (VCSP-VBAT) 流入 BAT 管脚电流 涓流充电阈值 恒流充电终止电压 再充电阈值 过压保护阈值 IVCC VFB IFB VCS IBAT VPRE VCCT VRE Vov VBAT ﹥VREG FB 管脚电压,过充电模式 VFB=2.4V VBAT>66.7%×VMAX (注 1) VBAT<66.7%×VMAX (注 1) VBAT=12V FB管脚电压上升,FB电压 FB管脚电压上升,FB电压 FB管脚电压下降,FB电压 电池端电压上升 1.2 2.392 160 24 5 1.06 1.7 2.416 50 168 40 10 66.7% 95.8% 88.6% 1.08 2.2 mA 2.44 V 300 nA 176 56 mV 15 uA VMAX (注 1) 1.1 过压释放阈值 Vclr 电池端电压下降 0.98 1 1.02 TEMP 管脚 上拉电流 比较器高端阈值 Iup Vthh TEMP 管脚电压上升 38 50 62 uA 1.57 1.61 1.65 V 比较器低端阈值 Vthl TEMP 管脚电压下降 0.145 0.175 0.205 V CHRG 管脚 CHRG管脚下拉电流 CHRG管脚漏电流 DONE 管脚 ICHRG VCHRG=1V,恒流充电模式 7 ILK1 VCHRG=25V,浮充电模式 12 18 mA 1 uA 管脚下拉电流 管脚漏电流 振荡器 IDONE VDONE=1V,浮充电模式 7 ILK2 VDONE=25V,恒流充电模式 12 18 mA 1 uA 频率 最大占空比 fosc Dmax 240 300 360 kHZ 94 % 睡眠模式 睡眠模式阈值 (测量VCC-VBAT) 睡眠模式释放阈值 (测量VCC-VBAT) DRV 管脚 VBAT=8V 0.06 0.1 0.14 VSLP VCC falling VBAT=12V 0.1 0.14 0.18 V VBAT=18V 0.18 0.23 0.28 VBAT=8V 0.26 0.32 0.39 VSLPR VCC rising, VBAT=12V 0.32 0.42 0.52 V VBAT=18V 0.38 0.47 0.58 VDRV 高电平(VCC-VDRV) VH IDRV=-10mA 60 mV VDRV 低电平(VCC-VDRV) VL IDRV=0mA 5 6.5 8V 上升时间 tr Cload=2nF, 10% to 90% 30 40 65 ns 下降时间 tf Cload=2nF, 90% to 10% 30 40 65 ns 注 1:VMAX 是由外部电阻网络设置的 BAT 管脚的最高充电电压。在维持充电模式,如果电池电压达到 VMAX,那么电池电压不再上升,但是充电过程并不结束,直到维持充电定时器溢出,充电过程才结束。 Rev 1.1 4 详细描述: CN3718是PWM降压型多节镍氢电池充电管理芯片,具有涓流,恒流,维持充电模式。恒流充电电流由连 接于CSP管脚和BAT管脚之间的电流检测电阻RCS设置。 当VCC管脚电压大于低压锁存阈值,并且大于电池电压时,CN3718正常工作,对电池充电。如果电池电 压低于所设置的最高充电电压的66.7%时,CN3718自动进入涓流充电模式,此时充电电流为所设置的恒 流充电电流的24%。当电池电压大于所设置的最高充电电压的66.7%时,CN3718进入恒流充电模式,此时 充电电流由内部的168mV基准电压和一个外部电阻RCS设置,即恒流充电电流为168mV/RCS。当电池电压 继续上升到所设置的最高充电电压的95.8%时,CN3718进入维持充电模式,充电电流为所设置的恒流充 电电流的24%,同时启动维持充电定时器,当此定时器溢出时,充电过程结束,DRV管脚输出高电平。 此时漏极开路输出 管脚内部的晶体管关断,输出为高阻态;另一个漏极开路输出 管脚内部的 晶体管接通,输出低电平,以指示充电结束状态。在维持充电模式,维持充电时间由外部电容设置。 在充电结束状态,如果断开输入电源,再重新接入,将开始一个新的充电周期;如果电池电压下降到再 充电阈值(最高充电电压的88.6%),那么也将自动开始新的充电周期。 当输入电压掉电时,CN3718自动进入睡眠模式,内部电路被关断,这样可以减少电池的电流消耗,延长 待机时间。 为了监测电池温度,需要在TEMP管脚和GND管脚之间连接一个10k?的负温度系数的热敏电阻。如果电 池温度超出正常范围,充电过程将被暂停,直到电池温度回复到正常温度范围内为止。 CN3718内部还有一个过压比较器,当BAT管脚电压由于负载变化或者突然移走电池等原因而上升时,如 果BAT管脚电压上升到最高充电电压的1.08倍时,过压比较器动作,关断片外的P沟道MOS场效应晶体管, 充电暂时停止,直到BAT管脚电压回复到最高充电电压以下。在某些情况下,比如在电池没有连接到充 电器上,或者电池突然断开,BAT管脚的电压可能会达到过压保护阈值。此为正常现象。 充电过程中,充电电流和充电电压示意图如图 2 所示。 涓流充电 恒流充电 维持充电 电 池 最 高 充 电 电 压 *95.8 % 电池最高充电电压 电 池 最 高 充 电 电 压 *66.7 % 充电电流 充电电压 图 2 充电过程示意图 Rev 1.1 5 上电复位 睡眠模式 否 VIN输入使能 是 涓流充电 初始监测 VBATVPRE 是 恒流充电 电流情况监测 VBATVCCT 是 维持充电 定时情况监测 TchrgTSET 是 充电结束 否 温度异常 温度复位 TSTSLOW TSTSHIGH 电压监测 VPREVBAT 电压监测 VPREVBAT 是 否 再充电监测 VREVBAT 图3 充电工作框图 电压监测 VPREVBAT 是 Rev 1.1 6 应用信息 低电压锁存 (UVLO) 芯片内部的低电压锁存电路监测输入电压,当输入电压低于6V(典型值)时,内部电路被关断,CN3718不 工作。 关于涓流充电阈值,恒流充电终止电压和最高充电电压 当电池端电压低于涓流充电阈值时,CN3718处于涓流充电模式。涓流充电阈值为(最高充电电压×66.7%)。 当电池端电压大于涓流充电阈值,小于恒流充电终止电压时,CN3718处于恒流充电模式。恒流充电终止 电压为(最高充电电压×95.8%) 当电池电压大于恒流充电终止电压时,CN3718处于维持充电模式。在维持充电模式,只有当维持充电定 时器溢出时,充电才会停止,所以在此期间,电池端电压可能继续上升,为此设置最高充电电压VMAX, 当电池电压达到最高充电电压时,电池电压不再上升,因此对电池是一种保护机制。 最高充电电压的设置 如图1所示,电池端的电压通过电阻R6和R7构成的电阻分压网络反馈到FB管脚,CN3718根据FB管脚的电 压决定充电状态。 考虑到流入FB管脚的偏置电流,最高充电电压为: VMAX=2.416×(1+R7/R6)+IB×R7 其中,IB是FB管脚的偏置电流,其典型值为40nA。 从上式可以看到,FB管脚偏置电流导致电阻分压网络的分压结果存在误差,误差值为IB×R7。假设R7= 500K?,那么误差值约为20毫伏。所以在设计电阻分压网络时,应该将上述误差考虑在内。 可设置的最高充电电压不能大于25V。 由于电阻R6和R7会从电池消耗一定的电流,在选取R6和R7的电阻值时,应首先根据所允许消耗的电流选 取R6+R7的值,然后再根据上式分别计算R6和R7的值。 涓流充电 在充电状态,如果电池电压低于所设置的最高充电电压的66.7%,CN3718进入涓流充电模式,此时充电 电流为所设置的恒流充电电流的24%。 恒流充电 在充电过程中,当电池端电压在最高充电电压的66.7%和95.8%时,CN3718处于恒流充电状态。 在恒流充电状态,恒流充电电流由下式决定: 其中: ICH 是恒流充电电流 RCS 是连接于CSP管脚和BAT管脚之间的充电电流检测电阻 维持充电 在充电过程中,当电池端电压大于最高充电电压的95.8%时,CN3718处于维持充电状态。 在维持充电状态,充电电流为所设置的恒流充电电流的24%。 在维持充电状态,维持充电定时器工作,当此定时器溢出时,充电过程结束。维持充电时间由CT管脚的 电容所设置,由下式决定: 维持充电时间=396.6×CT (秒) 其中: ? CT是从CT管脚到地的电容值,单位为微法 自动再充电 充电结束以后,如果输入电源和电池仍然连接在充电器上,由于电池自放电或者负载的原因,电池电压 Rev 1.1 7 逐渐下降,当电池电压降低到所设置的最大充电电压的88.6%时,将开始新的充电周期,这样可以保证电 池的饱满度在80%以上。 电池温度监测 为了监测电池的温度,需要一个紧贴电池的负温度系数的热敏电阻。当电池的温度超出可以接受的范围 时,充电将被暂时停止,直到电池温度回复到正常范围内。 负温度系数的热敏电阻应该连接在TEMP管脚和地之间。在芯片内部,TEMP管脚连接到两个比较器的输 入端,其低电压阈值为175毫伏,对应正常温度范围的上限温度点;高电压阈值为1.6伏特,对应正常温度 范围的下限温度点。 TEMP管脚的上拉电流为52uA,所以负温度系数的热敏电阻值在25℃时应该为10k?,在上限温度点时其 电阻值应该大约为3.5k?(约对应50℃);在下限温度点时其电阻值应该大约为32k?(约对应0℃)。一些负 温度系数热敏电阻,比如TH11-3H103F,MF52(10 k?),QWX-103和 NCP18XH103F03RB等,都能与 CN3718配合使用。前面所列负温度系数的热敏电阻的型号仅供参考,用户可以根据具体需要选择合适的 型号。 如果在上限温度点和下限温度点处负温度系数热敏电阻值比3.5 k?和32k?稍微大一点,用户可以通过同 热敏电阻并联一个普通电阻,将正常工作温度范围向下移动;反之,可以同热敏电阻串联一个普通电阻, 将正常工作温度范围向上移动。 如果不用电池温度监测功能,只要在TEMP管脚到地之间接一个10K?的电阻即可。 状态指示 CN3718有两个漏极开路状态指示输出端: 管脚和 管脚。在涓流,恒流和维持充电状态, 管脚被内部晶体管下拉到低电平,在其它状态 管脚为高阻态。在充电结束状态, 管脚被内部 晶体管下拉到低电平,在其它状态, 管脚为高阻态。 当电池没有接到充电器时,CN3718将输出电容充电到最大充电电压,并停留在维持充电状态直到维持充 电定时器溢出,才进入充电结束状态。在充电结束状态,由于BAT管脚的工作电流对输出电容的放电效 应,BAT管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值,CN3718再次进入充电状态,并停留在维持充电状态直到 维持充电定时器溢出,周而复始。因为一般维持定时时间比较长,所以在电池没有连接到充电器时, 管脚在大部分时间输出低电平( 管脚输出高电平);在很短的时间内 管脚输出高电平( 管脚 输出低电平)。如果用LED 做状态指示时,主要表现为 管脚的LED亮, 管脚的LED灭。 当不用状态指示功能时,将不用的状态指示输出端接到地。 表1列明了两个状态指示端口对应的充电器状态。这里假设红色LED连接到 管脚,绿色LED连接到 管脚,其连接方式如图1所示。 管脚 管脚 状态描述 低电平(红色LED亮) 高阻态(绿色LED灭) 涓流,恒流和维持充电状态; 或电池没有连接 高阻态(红色LED灭) 低电平(绿色LED亮) 充电结束状态 三种可能情况 ? VCC管脚电压低于低压锁 高阻态(红色LED灭) 高阻态(绿色LED灭) 存电压,或者 ? VCC管脚电压低于BAT管 脚电压,或者 ? 电池温度异常 表1 状态指示说明 片外功率管驱动 CN3718的DRV管脚用于驱动片外MOS场效应晶体管的栅极,该管脚能够提供比较大的瞬态电流以快速接 通和关断片外MOS场效应晶体管。在驱动2nF的负载情况下,上升时间和下降时间典型值为40nS。一般来 Rev 1.1 8 讲,一个导通电阻为50毫欧的MOS场效应晶体管的等效电容大约为2nF。 CN3718内部有钳位电路,以保证DRV管脚的低电平比VCC管脚的电压低8V(最大值)。比如,假设VCC的 电压为20V,那么DRV管脚的低电平为最小12V。这样,一些具有极低导通电阻的低压P沟道MOS场效应 晶体管可以与CN3718配合使用,从而提高了充电器的工作效率。 回路补偿 为了保证电流调制回路和电压调制回路的稳定性,需要下面的回路补偿元件: (1) 从COM1管脚到地之间接一个470pF的电容(图1中的电容C3) (2) 从COM2到地之间串联连接一个120?的电阻和一个220nF的瓷片电容(图1中的R4和C4) (3) 从COM3到地之间连接一个100nF的瓷片电容(图1中的电容C2) (4) 图1中的电容C7的取值大致按照右式估算:C7=8×(R6/R7) (pF) 输入和输出电容 输入电容对输入电源起滤波作用,需要吸收在输入电源上产生的纹波电流,所以输入电容必须有足够的 额定纹波电流。在最坏情况下,输入电容的额定RMS纹波电流需要达到充电电流的二分之一。 对输出电容的选择,为了降低输出端的纹波电压和改善瞬态特性,主要考虑串联等效电阻(ESR)。一般来 讲,10uF的输出电容可以满足要求。 电感的选择 在正常工作时,瞬态电感电流是周期性变化的。在P沟道MOS场效应晶体管导通期间,输入电压对电感充 电,电感电流增加;在P沟道MOS场效应晶体管关断期间,电感向电池放电,电感电流减小。电感的纹波 电流随着电感值的减小而增大,随着输入电压的增大而增大。较大的电感纹波电流会导致较大的纹波充 电电流和磁损耗。所以电感的纹波电流应该被限制在一个合理的范围内。 电感的纹波电流可由下式估算: 其中: f是开关频率,300KHz L是电感值 VBAT电池电压 VCC是输入电压 在选取电感值时,可将电感纹波电流限制在△IL=0.4×ICH,ICH 是充电电流。请留意最大电感纹波电流 △IL 出现在输入电压最大值和电感最小值的情况下。所以充电电流较低时,应该选用较大的电感值。 关于电感值的选择,请参考表2: 充电电流 1A 2A 3A 4A 5A 输入电压 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 表2 电感值的选择 电感值 40uH 30uH 30uH 20uH 20uH 15uH 15uH 10uH 10uH 8uH Rev 1.1 9 MOSFET的选择 CN3718的应用电路需要使用一个P沟道MOS场效应晶体管。选择该MOS场效应晶体管时应综合考虑转换 效率,MOS场效应晶体管功耗以及最高温度。 在芯片内部,栅极驱动电压被钳位在5.8V(典型值),可以使用低开启电压的P沟道MOS场效应晶体管。所 以需要留意该MOS场效应晶体管的击穿电压BVDSS要大于最高输入电压。 选择P沟道MOS场效应晶体管时需要考虑的因素包括导通电阻Rds(on),栅极总电荷Qg,反向传导电容 CRSS,输入电压和最大充电电流。 MOS场效应晶体管的最大功耗可以用下式来近似: 其中: Pd是MOS场效应晶体管的功耗 VBAT是电池的最高电压 VCC是最小输入电压 Rds(on)是P沟道场效应晶体管在室温(25℃)条件下的导通电阻 ICH是充电电流 dT是P沟道MOS场效应晶体管的实际温度与室温(25℃)的温度差 除了前面公式所描述的导通损耗I2Rds(on)外,MOS场效应晶体管还有开关损耗,开关损耗随着输入电压 的增加而增加。一般来讲,在输入电压小于20V时,导通损耗大于开关损耗,应该优先考虑导通电阻比较 小的MOS场效应晶体管;在输入电压大于20V时,开关损耗大于导通损耗,应该优先考虑反向传导电容 CRSS比较小的MOS场效应晶体管。一般CRSS的值在MOS场效应晶体管的技术规格书中都有列明,如果没 有明确列明该电容值,可由公式CRSS = QGD/ΔVDS来估算。 很多型号的MOS场效应晶体管,比如AO4459,STM9435(或 WT9435)和AO3407A,都可以选用。前面所 列MOS场效应晶体管的型号仅供参考,用户需要根据具体要求来选用适合的型号。 二极管的选择 在典型应用电路图1中的二极管D1和D2均为肖特基二极管。这两个二极管通过电流能力至少要比充电电 流大;二极管的耐压要大于最高输入电压的要求。 二极管D1和D2的选择原则为够用即可,如果所选用二极管的通过电流能力或耐压远远超过所需要的值, 由于这样的二极管具有较高的结电容,将增加充电器的开关损耗,降低效率。 利用TEMP管脚实现充电禁止功能 利用TEMP管脚可以实现充电禁止功能,如图3所示: M1 控制信号 CN3718 TEMP NTC 注 : M1为 N沟 道 场 效 应 管 图4 利用TEMP管脚实现充电禁止功能 Rev 1.1 10 当控制信号为高电平时,M1导通,TEMP管脚为低电平,禁止充电; 当控制信号为低电平时,M1关断,TEMP管脚的电压由NTC电阻值决定,进行正常的电池温度监测。 关于睡眠模式电池电流 在图1所示的典型应用电路中,当输入电压掉电或者输入电压低于电池电压时,CN3718进入睡眠模式。 在睡眠模式电池消耗的电流包括: (1) 流入BAT管脚和CSP管脚的电流,大约为10uA(VBAT=12V) (2) 从电池端经过二极管D1流到输入电压端的电流,此电流由二极管D1的漏电流决定 此电流对输入端电容C1充电,输入端电压会有一定程度的提高。为了避免误操作,可以同电容C1并 联一个电阻,将二极管D1的漏电流通过电阻放掉,电阻值取决于二极管D1的漏电流,一般20K?左右 的电阻可以满足要求。 (3) 从电池端经过二极管D2流到地(GND)的电流,此电流由二极管D2的漏电流决定 设计PCB的考虑 为了保证CN3718能够正常工作和提高转换效率,在设计PCB时,需要考虑下面几点: (1) 为了保证尽可能低的电磁辐射,两个二极管,P沟道MOS场效应晶体管,电感和输入滤波电容的引线 要尽量短。输入电容的正极到P沟道MOS场效应晶体管的距离也要尽量短。 (2) 在COM1,COM2和COM3管脚的回路补偿元件的接地端要接到CN3718的模拟地(GND),这样可以避 免开关噪声影响回路的稳定性。 (3) 输出电容的接地端和输入电容的接地端要先接到同一块铜皮再返回系统的地端。 (4) 模拟地和流经大电流(功率地)的地要独自返回系统地。 (5) CN3718的GND管脚和PGND管脚也具有散热的功能,所以接地的铜皮面积要尽可能大。对于输入电 压比较高或者片外P沟道MOS场效应晶体管的栅极电容比较大的情况,此点尤其重要。 (6) 将充电电流检测电阻RCS靠近电感的输出端,其放置方向要保证从芯片的CSP管脚和BAT管脚到RCS的 连线比较短。CSP管脚和BAT管脚到RCS的连线要在同一层次上,而且距离要尽可能小。 (7) 为了保证充电电流检测精度,CSP管脚和BAT管脚要直接连接到充电电流检测电阻上。如图4所示。 图 5 充电电流的检测 Rev 1.1 11 封装信息 本文中所描述的电路仅供参考,上海如韵电子有限公司对使用本文中所描述的电路不承担任何责任。上 海如韵电子有限公司保留对器件的设计或者器件的技术规格书随时做出修改而不特别通知的权利。 Rev 1.1 12

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